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SLC、MLC、TLC、QLC芯片的区别与使用寿命

SLC = Single-Level Cell ,即1bit/cell,速度快寿命长,价格超贵(约MLC 3倍以上的价格),利用正、负两种电荷,一个浮动栅存储1个bit的信息,约10万次擦写寿命;

MLC = Multi-Level Cell,即2bit/cell,速度一般寿命一般,价格一般,利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储2个bit的信息,约一万次擦写寿命,约3000-10000次擦写寿命;

TLC = Triple-Level Cell,即3bit/cell,也有Flash厂家叫8LC,速度慢寿命短,价格便宜,利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,约500-1000次擦写寿命;

QLC= Quad Level Cell,即4bit/cell。

转载自:http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=133526

SLC-MLC颗粒

目前市场上的存储卡大部分采用SLC或者MLC颗粒

这两者存在很大的差距,MLC全称为Multi Level Cell NAND闪存,主要由东芝、瑞萨供给,采用多层单元技术,主要采用0.13微米的制造工艺,电压3.3V,存取时间70us,擦写次数在10000次左右。MLC的特点是成本低、功耗高、速度慢。

   Single Level Cell NAND闪存主要由三星、现代生产,采用0.09微米制造工艺,在性能和稳定性非常出色,电压最低可达1.8V,存取时间25us,擦写次数在100000次左右。SLC拥有众多优势,不仅速度更快、在能耗上要低于MLC,更可以保证相当MLC 10倍的寿命,其架构是比较先进的,更加适合对功耗要求严格的数码产品。价格偏高是最大的弱项

   而现在廉价的SD卡大多采用的可能都是MLC颗粒,这一点是无法避免的,毕竟是出于成本考虑。